אלמנטים של יישום טכני אלמנטים של שיטת שחרור לאחר CMOS עבור מבנים רגישים לקורות חוצות עבור הידרופונים וקטורים של MEMS
Sep 16, 2022
השאר הודעה
מרכיבי יישום טכניים:
5. על מנת לפתור את הבעיה של השלמת שחרור המבנה תחת הנחת היסוד של תואם ל-CMOS על ידי שימוש בתהליך ה-Mems, ההמצאה הנוכחית מספקת שיטת שחרור לאחר CMOS עבור המבנה הרגיש לקרן צולבת של ההידרופון הווקטור ממס.
6. ההמצאה הנוכחית מושגת באמצעות הפתרונות הטכניים הבאים: שיטה לשחרור CMOS לאחר מבנה רגיש לקרן צולבת המכוון להידרופון וקטור ממס, הכוללת את השלבים הבאים: שלב (1) ניקוי אורגני של שבב ה-CMOS להסרת זיהומים פני השטח; בחירת שבב cmos, כיוון גביש "100", מצע מסוג p, שכבת פסיבציה של סיליקון ניטריד באזור mems פני השטח עוצבה בתבנית בתהליך cmos.
צור קשר:
Email: zhang@pride-cnc.com
טל: פלוס 86-755-23699351
אספסוף: פלוס 8618666663894